(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210869636.4 (22)申请日 2022.07.22 (71)申请人 西安空间无线电技 术研究所 地址 710100 陕西省西安市长安区航天基 地东长安街504号 (72)发明人 张娜　王瑞　崔万照　陈泽煜　 (74)专利代理 机构 中国航天科技专利中心 11009 专利代理师 张晓飞 (51)Int.Cl. G06F 17/18(2006.01) G06F 30/20(2020.01) (54)发明名称 一种判断不同表面处理下微波部件微放电 风险的方法 (57)摘要 一种判断不同表面处理下微波部件微放电 风险的方法， 包括： 测试微波部件不同表面处理 的二次电子产额数据； 根据测试的二次电子产额 数据拟合出入射电子能量下的二次电子产额曲 线； 根据入射电子能量与二次电子产额关系计算 不同入射电子能量的出射电子数目概率； 根据出 射电子数目概率计算不同入射电子能量下的归 一化电子累积出射概率； 计算不同二次电子产额 曲线对应的临界微放电阈值点； 判断不同表面处 理发生微放电的风险大小。 本发 明方法不需要计 算微放电阈值， 预测结果准确， 具有快速、 直观的 优势， 该方法可用于筛选抑制微放电效应的表面 镀层， 为快速评估抑制微放电效应的表面镀层提 供了新方法。 权利要求书2页 说明书4页 附图3页 CN 115391737 A 2022.11.25 CN 115391737 A 1.一种判断不同表面处 理下微波部件微 放电风险的方法， 其特 征在于包括： (1)测试不同表面处理下的微波部件表面入射能量点Ee_in对应下的二次电子产额δ (Ee_in)， 形成i组(Ee_i n， δ(Ee_i n))的测试数据， i＝1， 2…n； n为表面处 理类型的总数； (2)根据步骤(1)测试所得的第i组微波部件上不同入射能量点Ee_in对应的二次电子 发射产额δ(Ee_in)， 拟合出该组测试数据对应的入射电子能量Ein与二次电子产额δ(Ein)的 关系曲线； (3)根据步骤(2)得到的入射电子能量与二次电子产额的关系曲线， 计算得到入射电子 能量对应的出射电子数目概 率； (4)根据步骤(3)得到的出射电子数目概率， 计算不同入射电子能量下的归一化电子累 积出射概率； (5)计算得到第i组二次电子产额曲线对应的临界微 放电阈值 点； (6)重复步骤(2) ‑(5)， 得到n组临界微放电阈值点， 按照从大到小顺序排列， 进而得到 各个微波部件的微 放电风险。 2.根据权利要求1所述的一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法， 其特 征在于： 所述步骤(1)中， 每组表面处理下的测试数据， 测试的入射能量点Ee_in>Emax， Emax 为二次电子产额 最大值对应的能量 点， 每组测试 数据个数 >10。 3.根据权利要求1所述的一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法， 其特 征在于： 所述 步骤(2)中， 拟合关系采用Vaughan模型或Furman模型。 4.根据权利要求1所述的一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法， 其特 征在于： 所述步骤(3)中的计算得到入射 电子能量对应的出射 电子数目概率f(Ein)＝[δ (Ein)‑fix( δ(Ein))]×[fix( δ(Ein))+1]+[fix( δ(Ein))+1‑δ(Ein)]×fix( δ(Ein))， fix()表 示对函数向下 取整。 5.根据权利要求4所述的一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法， 其特 征在于， 当δ(Ein)<1时， 出射电子的概 率为f(Ein)＝ δ(Ein)； 当1≤ δ(Ein)<2时， 出射电子的概 率为f(Ein)＝2‑δ(Ein)+2( δ(Ein)‑1)； 当2≤(Ein)δ<3时， 出射电子的概 率为f(Ein)＝2(3‑δ(Ein))+3( δ(Ein)‑2)。 6.根据权利要求4所述的一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法， 其特 征在于， 所述 步骤(4)中归一 化电子累积出射 概率 χ(Ein)为： 式中， f(E)＝[ δ(E) ‑fix( δ(E) )]×[fix( δ(E) )+1]+[fix( δ(E) )+1‑δ(E)]×fix( δ(E) )。 7.根据权利要求6所述的一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法， 其特 征在于， 所述步骤(5)计算二次电子产额曲线对应的临界微放电阈值点的过程为： 令归一化 电子累积出射概率χ(Ein)＝1， 将此时的Ein定义为Ea， 则入射电子能量点Ea即为临界微放电 阈值点。 8.根据权利要求7所述的一种判断不同表面处理下微波部件微放电风险的方法， 其特 征在于， 所述步骤(6)中， 临界微放电阈值点Ea越小， 以该组入射能量下的二次电子产额测权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115391737 A 2试数据为表面的微波部件更容 易发生微放电。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115391737 A 3