ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T12965—2018 代替GB/T12965—2005 硅单晶切割片和研磨片 Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers 2019-06-01实施 2018-09-17发布 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T12965—2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T12965一2005《硅单晶切割片和研磨片》，与GB/T12965—2005相比，除编辑性 修改外主要技术内容变化如下： 径不大于200mm的圆形硅单晶切割片和研磨片”（见第1章，2005年版的第1章）； 规范性引用文件中删除了GB/T1552、GB/T1554、GB/T12964，增加了GB/T1551、 GB/T6619,GB/T26067、GB/T29507、GB/T32279、GB/T32280、YS/T28(见第2章,2005 年版的第2章）； 一删除了具体术语内容，改为“GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件”（见第3章，2005 年版的第3章）； 一删除了按照硅单晶生长方法进行的分类，增加了“硅片按表面取向分为常用的（100）、（111）、 （110）三种"（见4.2.2,2005年版的4.1)； -增加了“电学性能”（见5.2）； 一修订了50.8mm、125mm、150mm硅片的直径允许偏差，修订了100mm、125mm、150mm 直径切割片的厚度，修订了150mm和200mm直径硅片的翘曲度要求（见表1，2005年版的 表1); 增加了硅片弯曲度的要求（见5.3表1）： 一增加了主参考面直径和切口尺寸示意图（见图1）； 5.4.1,2005年版的5.4.1)； 增加了“未包含的其他晶向要求，由供需双方协商确定”（5.4.3）； 删除了“硅片是否制作参考面，由用户决定”和“硅片主、副参考面取向及位置应符合表2及 表1的规定”（见2005年版的5.4.3、5.4.4）； 增加了直径不大于150mm硅片主、副参考面位置的示意图（见图2）； 修订了边缘轮廓的要求（见5.6，2005年版的5.7）： 删除了硅片每个崩边的周长不大于2mm的规定，经倒角的研磨片对崩边的要求由“≤ 0.3mm"修订为“无”，并将崩边径向延伸尺寸的要求单列为表4（见5.7.1表4，2005年版的 5.6.1); 增加了电阻率、厚度和总厚度变化、翘曲度的另一种实验方法，并明确了仲裁方法（见6.2、6.5、 6.7,2005年版的6.2、6.11、6.12）； 修订了硅片主参考面直径的测量方法（见6.8，2005年版的6.7）； “硅片切口尺寸的测量由供需双方确定”修订为“切口尺寸的测量按GB/T26067的规定进行” （见6.9，2005年版的6.8）； 修订了检验项目，改为必检项目和供需双方协商检验的项目（见7.3.1、7.3.2，2005年版的7.3）； 删除了破坏性检验项目的取样规定（见2005年版的7.4.2）； 增加了订货单（或合同）内容（见第9章）。 1 GB/T12965—2018 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司、上海合晶硅材料有限公司、 浙江金瑞泓科技股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江省硅材料质量检验中心 本标准主要起草人：孙燕、卢立延、楼春兰、徐新华、张海英、张雪因、潘金平、刘卓 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T12965—1991,GB/T12965—1996、GB/T12965—2005。 Ⅱ GB/T12965—2018 硅单晶切割片和研磨片 1范围 本标准规定了硅单晶切割片和研磨片（简称硅片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、 包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬉变杂和气相掺杂）制备的直径不大于200mm 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T1555 5半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样 计划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量自测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12962 硅单晶 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 GB/T 32279 硅片订货单格式输人规范 GB/T32280 硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T 28 硅片包装 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 1 GB/T12965—2018 牌号及分类 4.1 牌号 硅片的牌号表示按GB/T14844的规定进行。 4.2分类 4.2.1 硅片按导电类型分为N型、P型两种。 4.2.2硅片按表面取向分为常用的（100）、（111）、（110）)三种。 4.2.3硅片按直径分为@50.8mm、@76.2mm、Φ100mm、Φ125mm.Φ150mm和Φ200mm6种。非 标准直径要求由供需双方协商确定。 5 要求 5.1 理化性能 硅片的掺杂剂、少数载流子寿命、氧含量、碳含量及晶体完整性应符合GB/T12962的规定。如有 需要，由供方提供各项检验结果 5.2 电学性能 硅片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化应符合GB/T12962的规定。 5.3 几何参数 硅片的几何参数应符合表1的规定。表1未包含的几何参数或对表1中几何参数有其他要求时， 由供需双方协商确定。主参考面直径和切口尺寸如图1所示。 表1） 几何参数 项目 要求 直径/mm 50.8 76.2 100 125 150 200 直径允许偏差/mm ±0.5 ±0.5 ±0.5 ±0.5 ±0.5 ±0,2 厚度（中心点）/μm ≥260 ≥220 ≥240 ≥320 ≥400 ≥600 厚度允许偏差/μm ±15 ±15 ±15 ± 15 ±15 ± 15 切 割 总厚度变化/μm 10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 ≤10 片 弯曲度/um ≤25 ≤30 ≤40 ≤40 ≤40 40 翘曲度/um ≤25 ≤30 <40 ≤40 ≤40 ≤40 厚度（中心点）/μm ≥180 ≥180 ≥200 ≥250 ≥300 ≥500 厚度允许偏差/um ±10 ±10 ±10 ±15 ±15 ±15 研 磨 总厚度变化/μm 3 <5 9V 5 片 弯曲度/μm ≤25 <30 40 40 ≤40 ≤40 翘曲度/um <25 ≤30 40 ≤40 ≤40 ≤40 2 GB/T12965—2018 表1 (续) 项目 要求 主参考面长度/mm 16.0±2.0 22.5±2.5 32.5±2.5 42.5±2.5 57.5±2.5 57.5±2.5 副参考面长度/mm 8.0±2.0 11.5±1.5 18.0±2.0 27.5±2.5 37.5±2.5 无 深度/mm 1.00+9.25 切口 角度/） 90-5 主参考面直径/mm 195.50±0.20 主参考面直径 中心 主参考而 a) 主参考面直径 销了中心 切口角度 切口深度 晶片边缘 通过晶片基准线 b) 切口尺寸 注：图1b）以虚线表示销子，用来对准夹具中有切口晶片；在测量切口尺寸和尺寸允许偏差时，该销子还用作有切 口晶片的基准。假定该对准销子直径为3mm。 图1主参考面直径和切口尺寸 3 GB/T12965—2018 5.4 表面取向及其偏离度 5.4.1 硅片的表面取向有（100）、（110）、（111)，常用的为（100）、（111)。 5.4.2 硅片表面取向的偏离度为： a） 正晶向：0°±0.5°； b) 偏晶向：对(111)硅片，有主参考面的，硅片表面法线沿平行主参考面的平面向最邻近的<110 方向偏2.5°土0.5°或4.0°士0.5°。有切口的，硅片表面法线沿垂直于切口基准轴的平面向最邻 近的<110>方向偏2.5°±0.5°或4.0°±0.5° 5.4.3未包含的其他晶向要求，由供需双方协商确定。 5.5基准标记 5.5.1直径不大于150mm硅片的参考面取向及位置应符合表2的规定，如图2所示。硅片是否制作 副参考面由供需双方协商确定。 表 2 主、副参考面取向及位置 副参考面 导电类型 表面取向 主参考面取向