ICS 29.045 H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T_12964—2018 代替GB/T12964—2003 硅单晶抛光片 Monocrystalline siliconpolished wafers 2019-06-01实施 2018-09-17发布 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T12964—2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T12964—2003《硅单晶抛光片》，与GB/T12964—2003相比，除编辑性修改外主 要技术变化如下： 片”改为“本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬉变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大 于200mm的硅单晶抛光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅 外延片的衬底”（见第1章，2003年版的第1章）。 —修订了规范性引用文件，删除了GB/T1552、GB/T1554、GB/T1555、GB/T1558、 GB/T24578.GB/T29507,GB/T32279、GB/T32280、YS/T28、YS/T679(见第2章,2003 年版的第2章）。 第3章，2003年版的第3章）。 修订了硅抛光片的分类。删除了“按硅单晶生长方法分为直拉（CZ）和悬浮区熔（FZ）”，增加了 “按表面取向分为常用的（100）、（110）、（111)三种”（见4.2.22003年版的4.1）。 一增加了“硅抛光片的直径、表面取向及其偏离度、参考面长度（主参考面直径）、切口尺寸、参考 面位置和切口位置应符合GB/T12965的规定。如有需要，由供方提供各项检验结果” (见5.1)。 删除了表1中主、副参考面长度、切口、主参考面直径的要求，修订了直径充许偏差、厚度、总厚 度变化、翘曲度、总平整度的要求，增加了弯曲度的要求，增加了直径不小于125mm硅抛光片 的局部平整度的要求（见表1，2003年版的表1）。 将晶体完整性的要求列在5.1，由供方提供检验结果（见5.1，2003年版的5.3）。 一修订了氧化诱生缺陷的要求，改为“硅抛光片的氧化诱生缺陷应不大于100个/cm，或由供需 双方协商确定”（见5.4，2003年版的5.3.2）。 一删除了原标准的表面取向、基准标记的内容（见2003年版的5.4、5.5）。 一增加了150mm、200mm直径硅抛光片的表面金属和体金属（铁）含量的要求（见5.5、5.6）。 修订了边缘轮廓的要求，由“硅抛光片须经边缘倒角，倒角后的边缘轮廓应符合YS/T26的规 定，特殊要求可由供需双方协商确定”改为“硅抛光片的边缘轮廓形状、尺寸应符合 GB/T12965的规定，且硅抛光片边缘轮廓的任何部位不充许有锐利点或凸起物，特殊要求可 由供需双方协商确定”（见5.7，2003年版的5.7）。 一将表面质量要求中的“亮点“改为“局部光散射体（颗粒）”，并修订了局部光散射体（颗粒）的要 求（见表2，2003年版的表4）。 一修订了检验项目，改为每批产品应对电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、表 面质量（除局部光散射体外）进行检验。导电类型、径向电阻率变化、局部平整度、氧化诱生缺 陷、表面金属、体金属（铁）、边缘轮廓、局部光散射体（颗粒）是否检验由供需双方协商确定”（见 7.3.1,7.3.2)。 增加了“氧化诱生缺陷、表面金属、体金属（铁）、边缘轮廓、局部光散射体（颗粒）、雾、背表面处 理的检验结果判定由供需双方协商确定”（见7.5.2）。 1 GB/T12964—2018 增加了订货单（或合同）内容（见第9章）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限 公司、浙江海纳半导体有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、天津市环欧半 导体材料技术有限公司。 本标准主要起草人：孙燕、卢立延、徐新华、张海英、楼春兰、杨素心、潘金平、张雪因。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T12964—1996GB/T12964—2003。 Ⅱ GB/T12964—2018 硅单晶抛光片 1范围 本标准规定了硅单晶抛光片（简称硅抛光片）的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、 运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬉变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200mm的 硅单晶抛光片。产品主要用于制作集成电路、分立元件、功率器件等，或作为硅外延片的衬底。 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样 计划 GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量自测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12962 硅单晶 GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 GB/T32279 硅片订货单格式输人规范 GB/T 32280 硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T 28 3硅片包装 YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 1 GB/T12964—2018 牌号及分类 4.1牌号 硅抛光片的牌号表示按GB/T14844的规定进行。 4.2分类 4.2.1 硅抛光片按导电类型分为N型、P型两种。 4.2.2 硅抛光片按表面取向分为常用的（100）、110）、（111)三种。 4.2.3 硅抛光片按直径分为50.8mm、76.2mm、100mm125mm150mm和200mm六种 5要求 5.1理化性能 硅抛光片的掺杂剂、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、晶体完整性应符合GB/T12962的规定；硅 抛光片的直径、表面取向及其偏离度、参考面长度（主参考面直径）、切口尺寸、参考面位置和切口位置应 符合GB/T12965的规定。如有需要，由供方提供各项检验结果。 5.2电学性能 硅抛光片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化应符合GB/T12962的规定。 5.3 几何参数 硅抛光片的几何参数应符合表1的规定，表1中未包含的几何参数或对表1中几何参数有其他要 求时，由供需双方协商确定 表1） 几何参数 项目 要求 直径/mm 50.8 76.2 100 125 150 200 直径允许偏差/mm ±0.5 ±0.5 ±0.5 ±0.5 ±0.5 ±0.2 ≥220(FZ) ≥220(FZ) ≥300(FZ) ≥600(FZ) 厚度（中心点)/μm 280 381 525(CZ) 525或625(CZ) 675(CZ) 725(CZ) 厚度允许偏差/μm ±20 ±20 ±20 ±15 ±15 ±15 总厚度变化/um 8V ≤10 ≤10 9V 9V <4 ≤40 ≤40 弯曲度/μm ≤25 ≤30 ≤40 ≤40 09V ≤60 （背面多晶加背封） （背面多晶加背封） ≤40 ≤40 翘曲度/um ≤25 ≤40 ≤40 09V 09 （背面为多晶加背封） （背面多晶加背封） 2 GB/T 12964—2018 表1 (续) 项目 要求 总平整度(TIR)/μm 5 9V <6 97 <4 ≤1.5 ≤2.0 0.8 局部平整度 SBIR (15mm×15mm) （边缘扩展， (15 mmX15 mm) (25mmX25mm) PUA100%) ≤1.2 0.3 SFQR μm (15mmX15mm) (25 mmX25 mm) 5.4氧化诱生缺陷 硅抛光片的氧化诱生缺陷应不大于100个/cm²，或由供需双方协商确定。 5.5 表面金属 150mm、200mm直径硅抛光片表面的单个金属元素（Na、Ca、Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn）的含量（原子 数）应不大于5×101°cm-2 5.6体金属（铁） 150mm、200mm直径硅抛光片的体金属（铁）含量（原子数）应不大于5×10l°cm-3，或由供需双方 协商确定。 边缘轮廓 5.7 硅抛光片的边缘轮廓形状、尺寸应符合GB/T12965的规定，且硅抛光片边缘轮廓的任何部位不允 许有锐利点或凸起物，特殊要求可由供需双方协商确定。 表面质量 硅抛光片的表面质量应符合表2的规定，其中对局部光散射体（颗粒）的要求可由供需双方协商 确定。 表 2 表面质量 序号 项目 要求 划伤 无 1 2 蚀