ICS 31.260 L 53 中华人民共和国国家标准 GB/T36356—2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范 Technical specification for power light-emitting diode chips 2019-01-01实施 2018-06-07发布 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T36356—2018 目 次 前言 1 范围 2 规范性引用文件 3 要求 4 检验方法 5 检验规则 6 包装、运输和储存.· 附录A（规范性附录） 功率半导体发光二极管芯片的目检 11 附录B（规范性附录） 人体模式和机器模式的静电放电敏感度分级及标志 14 GB/T36356—2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中国人民共和国工业和信息化部（电子）归口。 电子技术标准化研究院、厦门市三安光电科技有限公司 本标准主要起草人：张瑞霞、赵敏、黄杰、赵英、刘秀娟、蔡伟智、彭浩、刘东月、张晨朝， GB/T363562018 功率半导体发光二极管芯片技术规范 1范围 本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片）的技术要求、检验方法、检验规则、 包装、运输和储存等， 本标准适用于功率半导体发光二极管芯片。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2423.4一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Db：交变湿热（12h+ 12h循环） GB/T2423.15—2008 电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ga和导则：稳态加 速度 GB/T2423.22—2012 环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化 GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 SJ/T11394一2009半导体发光二极管测试方法 SJ/T11399—2009半导体发光二极管芯片测试方法 IEC6o749（所有部分）半导体器件机械和气候试验方法（Semiconductordevices一Mechanical and climatic test methods) IEC60749-19：2010半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度（Semicon ductor devicesMechanical and climatic test methodsPart 19:Die shear strength) IEC60749-22：2002半导体器件机械和气候试验方法第22部分：键合强度（Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 22:Bond strength) 3要求 3.1通则 3.1.1优先顺序 细规范为准。 3.1.2对详细规范的引用 本标准中使用“按规定”一词而未指明引用的文件时，即指引用相关详细规范。 1 GB/T36356—2018 3.2木 材料和结构 3.2.1材料 应采用能使芯片符合本标准性能要求的半导体材料，且所用材料在规定的试验条件下，应无刮伤、 划痕、翘曲等影响芯片贮存、工作和环境适应能力的缺陷。 3.2.2外形尺寸 芯片的外形尺寸应符合相关详细规范的规定。 3.2.3键合区 键合区的大小、位置、顺序和电气功能应符合相关详细规范的规定。 3.3外观质量 芯片的外观质量应符合附录A的规定。 3.4 绝对最大额定值和特性 3.4.1绝对最大额定值 绝对最大额定值要求见表1。 表1绝对最大额定值 数值 章条号 参数 符号 单位 最小 最大 3.4.1.1 贮存温度 T sig: X X ℃ 3.4.1,2 工作环境温度 Tamb ℃ 3.4.1.3 结温 T; X ℃ 3.4.1.4 焊接温度 T ala X ℃ （规定最长焊接时间） X 3.4.1.5 反向电压 VR X V 3.4.1.6 环境温度为25℃下的直流正向电流 Ir X X mA 3.4.1.7 环境温度为25℃下的峰值正向电流 IFM X A （规定的脉冲条件下）（适用时） 3.4.1.8 静电敏感电压（适用时） VesD X V 注：X表示应规定的具体值。 3.4.2光电特性 芯片的光电特性应符合表2和相关详细规范的规定。 GB/T36356—2018 表2光电特性 条件 要求 章条号 特性 符号 除非另有规定 单位 最小 最大 Tamb=25 ℃ 3.4.2.1 正向电压 V IF按规定 V 3.4.2.2 反向电流 IR VR按规定 X μA 3.4.2.3 光功率 d. IF按规定 W 或光通量 dv I按规定 Im 3.4.2.4 主波长 入a Ir按规定 nm 或峰值发射波长 IF按规定 X X nm 注：X表示应规定的具体值 3.5环境适应性 3.5.1 键合强度 芯片键合后进行键合拉力试验，键合拉力符合IEC60749-22：2002的规定。 3.5.2剪切力 将芯片粘接或共晶焊在支架上，进行剪切力试验，剪切力符合IEC60749-19：2010的规定。 3.5.3 温度循环 将芯片进行封装，按最低和最高贮存温度进行温度循环试验，循环次数按规定。试验后，性能参数 符合表6的规定。 3.5.4循环湿热 将芯片进行封装，进行循环湿热试验，试验后，性能参数符合表6的规定。 3.5.5恒定加速度（仅适用于空腔封装器件） 将芯片进行封装，进行恒定加速度试验，试验后，性能参数符合表6的规定 3.6电耐久性 将芯片进行封装，按GB/T4589.1一2006的3.10.2的规定，加电工作168h后，电性能符合表5的 规定；加电工作1000h后，电性能符合表6的规定。 3.7静电放电敏感度（适用时） 按照SJ/T11394一2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度和/或机器模式静电放电敏感 度试验，分级标准见附录B。 3 GB/T363562018 4检验方法 4.1 测试条件 4.1.1标准大气条件 4.1.2加电工作条件 加电工作条件按规定。 4.1.3试验条件和方法 如无特殊规定，应按照IEC60749规定的条件和方法进行试验，如经试验证明由替代的方法进行检 验合格的产品用规定的方法检验也合格，则也可以用替代方法检验。 进行探针测试时，应按SJ/T11399—2009中4.1的规定， 4.2结构 4.2.1外形尺寸 按附录A规定的方法进行检验，使用准确度符合要求的量具测量芯片的尺寸，应符合3.2.2的 规定。 4.2.2键合区 按附录A规定的方法进行检验，应符合3.2.3的规定。 4.3 外观质量 按附录A规定的方法进行检验，应符合附录A中的规定。 4.4光电特性 4.4.1正向电压 按照SJ/T11394一2009中规定的方法测量正向电压，应符合3.4.2.1的规定。 4.4.2反向电流 按照SJ/T11394—2009中规定的方法测量反向电流，应符合3.4.2.2的规定。 4.4.3光功率或光通量 按照SJ/T11399—2009中规定的方法测量光功率或光通量，应符合3.4.2.3的规定。 4.4.4主波长或峰值发射波长 按照SJ/T11394一2009中规定的方法测量主波长或峰值发射波长，应符合3.4.2.4的规定。 4