ICS 31. 060.30 L 11 GD 中华人民共和国国家标准 GB/T 10186—2012 代替GB/T10186—1988 电子设备用固定电容器 第7-1部分：空白详细规范 金属箔式聚苯乙烯膜介质直流 固定电容器 评定水平E Fixed capacitors for use in electronic equipment- Part 7-1:Blank detail specification- Fixed polystyrene film dielectric metal foil d. c. capacitors- Assessment level E 2012-11-05发布 2013-02-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T10186—2012 前言 《电子设备用固定电容器》系列国家标准分为如下若干部分： 第1部分：总规范（GB/T2693—2001,idtIEC60384-1：1999)； 第2部分：分规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器（GB/T7332一2011/ IEC 60384-2:2005); 第2-1部分：空白详细规范金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器评定水平 E和EZGB/T7333—2012/IEC6038-2-1:2005)； 一第3部分：分规范表面安装MnO，固体电解质钼固定电容器（IEC60384-3：2007）； 一第3-1部分：空白详细规范表面安装MnO2固体电解质固定电容器评定水平EZ (IEC 60384-3-1:2007); 一第4部分：分规范固体和非固体电解质铝电解电容器（GB/T5993一2003/IEC60384-4： 1998，第1号修改单：2000）； 第4-1部分：空白详细规范 非固体电解质铝电容器评定水平EZ（GB/T5994一2003/ IEC 60384-4-1:2000); 第4-2部分：空白详细规范 固体（MnO，）电解质的铝电解固定电容器 评定水平EZ (IEC60384-4-2:2007); 第6部分：分规范金属化聚丙烯薄膜介质直流固定电容器（IEC60384-6：2005）； 第6-1部分：空白详细规范金属化聚丙烯薄膜介质直流固定电容器（IEC60384-6-1:2005）； 一 一 一第7-1部分：空白详细规范金属箔式聚苯乙烯膜介质直流固定电容器评定水平E (GB/T10186—2012); 第8部分：分规范1类瓷介固定电容器（GB/T5966—2011/IEC60384-8：2005）； 第8-1部分：空白详细规范1类瓷介固定电容器评定水平EZ（GB/T5967—2011/ IEC60384-8-1:2005); 第9部分：分规范2类瓷介固定电容器（GB/T5968—2011/IEC60384-9：2005）； 一第9-1部分：空白详细规范2类瓷介固定电容器评定水平EZ（GB/T5969一2012 IEC 60384-9-1:2005); 第11部分：分规范金属箔式聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器 (IEC 60384-11:2008); (IEC 60384-11-1:2008); 第12部分：分规范金属箔式聚碳酸酯膜介质直流固定电容器（GB/T10679—1995/ IEC 60384-12:1988); 评定水平E (GB/T10680—1995/IEC60384-12-1:1988); 第13部分：分规范金属箔式聚丙烯膜介质直流固定电容器（IEC60384-13：2006）； 第13-1部分：空白详细规范金属箔式聚内烯膜介质直流固定电容器 评定水平E (IEC 60384-13-1:2006); 第14部分：分规范抑制电源电磁干扰用固定电容器（GB/T14472—1998，idtIEC60384-14： GB/T10186—2012 1993，第1号修改单：1995）； 第14-1部分：空白详细规范抑制电源电磁干扰用固定电容器评定水平D（GB/T14473一 1998,idt IEC 60384-14-1:1993); 第15部分：分规范非固体或固体电解质钼固定电容器（GB/T7213一2003，idtIEC60384- 15：1982，第1号修改单：1987，第2号修改单：1992）； 1991,idt IEC 60384-15-1:1984); 第15部分：空白详细规范非固体电解质多孔阳极钼电容器 评定水平E（GB/T12795— 1991/IEC 60384-15-2:1984); 一第15-3部分：空白详细规范固体电解质和多孔阳极钼电容器评定水平E（GB/T7214- 2003/IEC60384-15-3:1992); 第16部分：分规范金属化聚丙烯膜介质直流固定电容器（GB/T101902012/IEC60384- 16:2005); 第16-1部分：空白详细规范金属化聚丙烯膜介质直流固定电容器评定水平E和EZ (GB/T10191—2011/IEC60384-16-1:2005); 第17部分：分规范金属化聚丙烯薄膜介质交流和脉冲固定电容器（IEC60384-17：2005）； 一第17-1部分：空白详细规范金属化聚丙烯薄膜介质交流和脉冲固定电容器评定水平EZ (IEC 60384-17-1:2005); 第18部分：分规范固体（MnO2）与非固体电解质片式铝固定电容器（GB/T17206一1998， idtIEC60384-18：1993，第1号修改单：1998)； 第18-1部分：空白详细规范表面安装固体（MnO，）电解质铝固定电容器评定水平EZ (GB/T172072012/1EC60384-18-1:2007); 第18部分：空白详细规范非固体电解质片式铝固定电容器评定水平E（GB/T17208- 1998,idt IEC 60384-18-2:1993); 第19部分：分规范表面安装金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器（IEC 60384-19:2006); 第19-1部分：空白详细规范表面安装金属化聚乙烯对苯二甲酸酯膜介质直流固定电容器 评定水平E（IEC60384-19-1:2006)； 一第21部分：分规范表面安装用1类多层瓷介固定电容器（GB/T21041一2007/IEC60384- 21:2004); 第21-1部分：空白详细规范表面安装用1类多层瓷介固定电容器 评定水平EZ (GB/T21038—2007/IEC60384-21-1:2004); 第22部分：分规范表面安装用2类多层瓷介固定电容器（GB/T21042一2007/IEC60384 22:2004); 一第22-1部分：空白详细规范表面安装用2类多层瓷介固定电容器 早评定水平EZ (GB/T210402007/IEC60384-22-1:2004)。 本部分为《电子设备用固定电容器》系列国家标准的第7-1部分。 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本部分代替GB/T10186—1988。本部分与GB/T10186—1988相比，主要变化如下： 根据其上层规范的修改而进行相应的变更； 一表2电容量和电压值与外形尺寸的关系中增加类别电压一行； 一增加了标志耐溶剂试验和元件耐溶剂试验； -B组检验由D修改为ND； Ⅱ GB/T10186—2012 C2分组最后测量损耗角正切由2倍修改为1.2倍。 本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本部分由全国电子设备用阻容元件标准化技术委员会（SAC/TC165）归口。 本部分起草单位：鹤壁市华中科技电子有限责任公司。 本部分主要起草人：樊金河、宁小波、李素兰、孟素芬、付颖颖 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T10186—1988。 GB/T10186—2012 言 空白详细规范 空白详细规范是分规范的一种补充性文件，它包括了详细规范的格式、编排和最低限度的内容要 求。不遵守这些要求的详细规范，认为是不符合电子元件质量评定体系要求的规范， 制定此类电容器详细规范时应考虑分规范GB/T10185一2012中第4章的内容。 首页方括号中数字标注的位置上应填写下列相应内容： 详细规范的识别 [1]授权起草本详细规范的组织：IEC或国家标准机构。 [2] IEC或国家的详细规范标准编号，发布日期以及国家体制需要的其他内容。 [3］IEC或国家的总规范编号及其版本号。 ［[4]IEC或国家标准的空白详细规范编号。 电容器的识别 ［5］该型号电容器的简述。 ［6］典型结构的简述（适用时）。 注：当电容器不是设计用于印制电路板时，在详细规范的这个位置上应该明确地加以说明。 [7对于影响互换性的主要尺寸的外形图，和（或引用的国家文件或国际文件，也可以在详细规 范的附录中给出此图。 [8]用途或所涉及的应用类别和/或评定水平。 注：详细规范中采用的一个评定水平或若干个评定水平，应从分规范7.5.4中选取。这意味着如果试验的分组不 变，几个评定水平可共用一个空白详细规范。 [9]］最重要特性的参考数据，以便在各种类型的电容器之间进行比较。 (1) (2) GB/T10186—2012 电子元器件质量评定按： (4) (3) 金属箔式聚苯乙烯膜介质 直流固定电容器 (5) 外形图：（见表1) （第··角示图） (7) (6) （在给定的尺寸范围内，允许有其他形状） 评定水平：E 稳定性等级.… (8) 按本详细规范鉴定合格的元件的有效数据在鉴定合格产品一览表中给出 (6) IV