ICS 29.045 H 80 中华人民共和国国家标准 GB/T 37051—2018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体 缺陷密度测定方法 Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer 2019-04-01实施 2018-12-28发布 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 37051—2018 目 次 前言 范围 1 2 规范性引用文件 3 方法概要 试剂和材料 4 5 仪器和设备 试样制备 6 7 测试步骤 8 数据处理 9 精密度 10 干扰因素 11 报告· GB/T37051—2018 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。 本标准起草单位：英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技 有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天 津英利新能源有限公司。 本标准主要起草人：李锋、李英叶、段青春、张伟、吴翠姑、冯亚彬、裴会川、程小娟、唐骏 GB/T370512018 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体 缺陷密度测定方法 1范围 本标准规定了太阳能级多晶硅锭、硅片的晶体缺陷密度测定方法，包含方法概要、试剂和材料、仪器 和设备、试样制备、测试步骤、数据处理、精密度、干扰因素和报告 本标准适用于太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度的测定。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T6379.2一2004测量方法与结果的准确度（正确度和精密度）第2部分：确定标准测量方 法重复性与再现性的基本方法 GB/T25915.1一2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 GB/T29054太阳能级铸造多晶硅块 GB/T29055太阳电池用多晶硅片 3 方法概要 用硝酸、氢氟酸混合液对硅片表面进行化学抛光，再使用重铬酸钾、氢氟酸混合液腐蚀硅片，硅晶体 缺陷被优先腐蚀，使用显微镜观察试样腐蚀表面，可观察到硅片的晶体缺陷特征并对缺陷计数 通过对不同位置的硅锭取样硅片样片，测量得到不同部位硅片样片的晶体缺陷密度，其最终结果可 以表征硅锭的晶体缺陷密度。 4试剂和材料 4.1 重铬酸钾：分析纯。 4.2 氢氟酸：质量分数40%，电子级。 4.3 硝酸：质量分数65%，电子级。 4.4 化学腐蚀抛光液：V氢氟酸：V硝酸=1：4。 4.5 去离子水：电导率小于或等于1μS/cm。 4.6 6无水乙醇：密度0.79g/mL，分析纯。 4.7 重铬酸钾溶液：质量浓度44g/L。称取44g重铬酸钾置于烧杯中，用去离子水完全溶解后，移入 1000mL容量瓶中，用去离子水稀释至刻度，混匀 4.8S Secco腐蚀液：由氢氟酸和重铬酸钾溶液配制的混合液，V氢氨酸：V重铬酸钾溶波液=2：1。 4.9 压缩空气或氮气。 1 GB/T370512018 5仪器和设备 5.1显微镜：具有电子图片采集功能，总放大倍率不小于20倍，视场面积不小于200μm×200um。 5.2通风橱。 5.3超声清洗机。 5.4机械抛光机。 5.5 5耐氢氟酸材质容器。 6试样制备 6.1 硅块取样 对整锭切方，选取其中的三块硅块（如图1，1.紧邻埚角部的硅块：2.与第1块硅块相邻且紧邻地 的硅块；3.中心或最邻近中心的硅块），硅块尺寸依照GB/T29054，如图1所示。对所选硅块按6.2 进行取样。所取样品可反应该整锭的晶体缺陷密度情况。 1 1 3 a）硅块总数为奇数 b）硅块总数为偶数 图1硅块选块位置示意图 6.2 硅片取样 对硅块切片，在距离两端3cm处和中部各取1片，共计3片硅片样品·硅片样品尺寸依照 GB/T29055。如果硅片样品表面过于粗糙，建议用机械抛光机进行抛光至表面无明显划痕。 7测试步骤 7.1环境条件 7.1.1试样清洗环境空气洁净度符合GB/T25915.1一2010规定的ISO6级或更高级别的要求。 7.1.2实验室温度控制在15℃~35℃。 7.2试样清洗 7.2.1 将试样在无水乙醇（4.6）中超声清洗15min，以去除有机沾污。 7.2.2将试样在去离子水（4.5）中超声清洗15min，然后用去离子水（4.5）清洗干净。 2