ICS 27.010 F 01 GB 中华人民共和国国家标准 GB 29447—2012 多晶硅企业单位产品能源消耗限额 The norm of energy consumption per unit products of polysilicon enterprise 2012-12-31发布 2013-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB 29447—2012 前言 本标准4.1、4.2为强制性的，其余为推荐性的 本标准由国家发展和改革委员会资源节约与环境保护司、工业与信息化部节能与综合利用司提出。 本标准由全国能源基础与管理标准化技术委员会（SAC/TC20）和全国有色金属标准化技术委员 会（SAC/TC243）归口。 本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、多晶硅材料制备技术国家工程实验室、中国恩菲工程 技术有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、江苏中能硅业科技发展有限公司、四川新光硅 业科技有限责任公司、东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、 江西赛维LDK光伏硅科技有限公司、陕西天宏硅材料有限责任公司、亚洲硅业（青海）有限公司、特变 电工新疆硅业有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、内蒙古神舟硅业有限责任公司。 本标准主要起草人：严大洲、汤传斌、肖荣晖、贺东江、万烨、杜俊平、袁金满、谢秦、银波 I GB 29447—2012 多晶硅企业单位产品能源消耗限额 1范围 法、计算范围、节能管理与措施。 氯氢硅，三氯氢硅经精馏提纯后，用高纯氢气还原生产多晶硅的企业单位产品能耗的计算、考核，以及对 新建项目的能耗控制。 规范性引用文件 SAG 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2589综合能耗计算通则 GB/T12963硅多晶 GB/T 17167 用能单位能源计量器具配备和管理通则 GB/T25074太阳能级多晶硅 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3. 1 工序能源单耗 unit energy consumption in working procedure 工序生产过程中生产单位合格产品消耗的能源量。 3.2 工序实物单耗 Eunit object consumption in working procedure 工序生产过程中生产单位合格产品消耗的某种能源实物量。 3.3 工艺能源单耗 Eunit energy consumption of technology 工艺生产过程中生产单位合格产品消耗的能源量。 3.4 工艺电耗 Eunit electricity consumption of technology 工艺生产过程中生产单位合格产品消耗的电量。 3.5 蒸汽消耗 steamconsumption 生产单位合格产品所消耗的蒸汽。 1 GB 29447—2012 3. 6 综合电能源单耗 Eunit consumption of integrate electricity 3.7 综合能源单耗 unit consumption of integrate energy 即单位产品综合能源消耗，是指工艺能源单耗与工艺产品辅助能耗及损耗分摊量之和。 4 技术要求 4. 1 现有多晶硅企业单位产品能耗限定值 现有多晶硅企业单位产品能耗限定值应符合表1的要求。 表1 多晶硅企业单位产品能耗限定值 每公斤多晶硅综合能耗限定值 序号 工艺、工序 工艺电耗 蒸汽消耗 综合电耗 综合能耗 kW. h/kg kW·h/kg kg/kg kgce/kg 三氯氢硅合成工序 ≤3.0 ≤20 1 ≤3. 6 ≤3.23 ≤2.0 ≤60 ≤2.6 ≤8.45 2 三氯氢硅精馏提纯工序 四氯化硅高温氢化工序 99V ≤35 ≤67 ≤13.16 3 4 四氯化硅低温氢化工序 ≤35 37 696 还原工序 ≤75 5 5 ≤80 ≤10.62 还原尾气干法回收工序 ≤18 ≤15 ≤18 4.53 6 7 多晶硅产品处理、包装工序 ≤0.5 0 ≤0.5 ≤0.07 8 硅芯制备工序 ≤2.0 ≤2.0 ≤0.25 公用工程包括：纯水系统、循环水、脱盐水、 制氮、压缩空气、锅炉、空调、水源、中控及 ≤13.3 ≤10 ≤13.3 ≤3.01 9 其他 10 制氢系统 ≤11 0 ≤11 ≤1.37 11 “三废”处理工序 ≤1.0 0 ≤1. 0 ≤0.18 12 其他 ≤1 10 <1 ≤1.42 13 多晶硅工艺能耗（高温氢化） ≤191.8 ≤155 ≤200 ≤46.28 多晶硅工艺能耗（低温氢化） ≤161.2 ≤155 ≤170 ≤42.71 14 4.2 新建多晶硅企业单位产品能耗准入值 新建多晶硅企业单位产品能耗准入值应符合表2的要求。 2 GB 29447—2012 表2 新建多晶硅企业单位产品能耗准入值 每公斤多晶硅综合能耗准人值 序号 工艺、工序 工艺电耗 蒸汽消耗 综合电耗 综合能耗 kW. h/kg kg/ kg kW. h/kg kgce/kg 1 三氯氢硅合成工序 ≤2.6 ≤17 ≤3.1 ≤2.75 2 三氯氢硅精馏提纯工序 ≤1.7 ≤51 ≤2.2 ≤7.2 四氯化硅高温氢化工序 ≤29.8 ≤57 ≤11.2 3 4 四氯化硅低温氢化工序 ≤30 ≤29.8 ≤31.5 ≤8.15 5 还原工序 ≤60 ≤4.3 ≤64.2 ≤8.53 6 还原尾气干法回收工序 ≤15.3 ≤12.75 ≤15.3 3.85 7 多晶硅产品处理、包装工序 ≤0.43 0 ≤0.43 ≤0.06 8 硅芯制备工序 ≤1.7 0 ≤1.7 ≤0.21 公用工程包括：纯水系统、循环水、纯水、脱 9 盐水、制氮、压缩空气、锅炉、空调、水源、中 ≤11.3 ≤8.5 ≤11.3 ≤2.56 控及其他 10 制氢系统 ≤9.4 0 ≤9.4 ≤1.16 11 “三废”处理工序 ≤0.9 0 ≤0.85 ≤0.15 12 其他 ≤0.9 ≤8.5 0.85 ≤1.2 13 多晶硅工艺能耗（高温氢化） ≤159.2 ≤131.8 ≤166.2 ≤38.87 14 多晶硅工艺能耗（低温氢化） ≤133.2 ≤131.8 ≤141.2 ≤35.83 4. 3 多晶硅企业单位产品能耗先进值 多晶硅企业单位产品能耗先进值应符合表3的要求。 表 3 多晶硅企业单位产品能耗先进值 每公斤多晶硅综合能耗先进值 序号 工艺、工序 工艺电耗 蒸汽消耗 综合电耗 综合能耗 kw.h/kg kW·h/kg kg/kg kgce/kg 三氯氢硅合成工序 ≤2.17 ≤14.5 ≤2.6 ≤2.33 1 2 三氯氢硅精馏提纯工序 ≤1.45 ≤43. 4 ≤1.9 ≤6.1 3 四氯化硅高温氢化工序 ≤47 ≤25.3 ≤48.4 ≤9.5 四氯化硅低温氢化工序 ≤25.3 ≤25. 3 ≤26.7 ≤6.93 4 还原工序 5 ≤54.2 ≤3.6 ≤57.8 ≤7.67 还原尾气干法回收工序 ≤13 ≤10.8 ≤13 ≤3.27 6 7 多晶硅产品处理、包装工序 ≤0.36 0 ≤0.36 ≤0.05 硅芯制备工序 ≤1.45 ≤1.45 ≤0.18 8 0 3